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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
来源:中国数控机床网   发表时间:2018/10/23 18:23:00  浏览次数:
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 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。

 

碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000

  碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势,包括电动和混动汽车、数据中心及辅助电源。 相比同类的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会,包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。

  此外,相比市面上其他业内领先的碳化硅MOSFET器件,Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更优越的性能。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型应用包括:

  · 太阳能逆变器

  · 开关模式和不间断电源

  · 电机驱动器

  · 高压DC/DC转换器

  · 感应加热

  “此产品可改善现有应用,并且Littelfuse应用支持网络可促进新的设计方案。”Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可为基于硅的传统功率晶体管器件提供富有价值的替代选择。 相比同类IGBT,MOSFET器件结构可减少每个周期的开关损耗并提高轻载效率。 固有的材料特性让碳化硅MOSFET能够在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面优于硅MOSFET。”

  新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装,具有以下关键优势:

  · 专为高频、高效应用优化

  · 极低栅极电荷和输出电容

  · 低栅极电阻,适用于高频开关

  供货情况

  LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只装TO-247-3L管式封装。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。  

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