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京都半导体新研发高速光电二极管传输速度可达400Gbps
来源:中国数控机床网   发表时间:2020/6/30 16:03:00  浏览次数:
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日前,日本京都半导体公司研发出一种高速光电二极管KP-H KPDEH12L-CC1C,可用于支持数据中心内部和数据中心之间基于PAM4的400Gbps传输系统。

在研发过程中,研究人员将4条25Gbps的线路集束在一起,实现了以100Gbps为主的传输速度。然而,市场上对400Gps到800Gbps传输速度的需求正不断增长。

随着InGaAs光电二极管的引入,京都半导体将继续支持5G或更高传输系统不断增长的速度和容量需求。

KP-H KPDEH12L-CC1C的主要特点包括:

—高速。借助电磁仿真软件,研究人员将载体上高频电极的大小、宽度及长度都进行了优化,使其在与市售跨阻放大器并用时,能够对应40GHz带宽。

—易于安装使用。 安装KPDEH12L-CC1C的载体被特别优化设计过以实现高频。光电二极管背面集成了一个聚光透镜,使入射光能够在光吸收区被采集,并使光纤与PD的对齐更加容易。

KP-H光电二极管目前已通过通信设备方面标准可靠性测试Telcordia GR-468-Core的验证。

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